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臺(tái)積電表示2nm工藝2025年末進(jìn)入量產(chǎn) 將使用GAA技術(shù) 超能網(wǎng)     2022-04-17 17:51    

近期傳出臺(tái)積電（TSMC）在3nm工藝開(kāi)發(fā)上取得突破，第二版3nm制程的N3B會(huì)在今年8月份率先投片，第三版3nm制程的N3E的量產(chǎn)時(shí)間可能由原來(lái)的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年臺(tái)積電總裁魏哲家曾表示，N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，推出的時(shí)候?qū)⒊蔀闃I(yè)界最先進(jìn)的PPA和晶體管技術(shù)，同時(shí)也會(huì)是臺(tái)積電另一個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)且持久的制程節(jié)點(diǎn)。

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