特點(diǎn)

●IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。

●具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)。

●具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。

封裝材料 IGBT封裝

散熱功能 不帶散熱片

額定正向平均電流 25（A）

反向重復(fù)峰值電壓 1200V（V）

穩(wěn)定工作電流 25（A）

功率特性 中功率

關(guān)斷速度 高頻(快速)

極數(shù) 三極

頻率特性 高頻