PEM-540hm電磁磁場發(fā)生器

1、概述

1.1、PEM--540HM電磁場發(fā)生器采用亥母霍茲線圈立式結構、屬于工頻暴露磁場裝置，裝置分為電源和亥姆霍茲線圈2部分。線圈分上下2層，上層為暴露線圈，下層為偽暴露線圈。通電后線圈內部產生均勻的磁場。線圈自然冷卻式結構，具有視野開闊、外形美觀、結構可靠、磁場強度大小調節(jié)方便等特點。磁場發(fā)生器廣泛用于實驗室生物細胞試驗，大學電磁鐵金屬熱處理、透熱、熔煉、焊接、熱套、非金屬間接加熱，尤其適用于里外均勻透熱、磁性材料感應加熱、磁場導航定位、磁性材料載藥、納米材料在磁場中應用、熱化療等，能滿足科研人員生物醫(yī)學工程研究、物理、化學、金相等實驗室研究、臨床試驗的需求。

1.2、磁場強度大小調節(jié)方便，可通過調節(jié)電源電流大小來改變。

1.3、磁場發(fā)生器工作結構調整采用力田專利技術設計。本實用新型結構簡單，加工制造容易，操作使用方便，所產生磁場均勻度高，性能穩(wěn)定，適于作為需抵

抗強磁場干擾的產品的出廠檢測裝置。

1.4、使用前請仔細閱讀本說明書，嚴格按要求操作使用。

2、磁場發(fā)生器技術參數

2.1、磁場發(fā)生器維度：一維

2.2、磁場強度：大于等于160GS

2.3、磁場發(fā)生器內孔直徑：540mm

2.3、磁場均勻度范圍：200*200*200范圍內均勻度為10%

2.4、配直流電源：0-150V/0-10A

2.6、外形尺寸：780*430mm 內孔540mm

2.7, 重量：大于等于120KG