絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開(kāi)關(guān)能力和高電壓容量，在各種應(yīng)用中得到越來(lái)越多的運(yùn)用。陶氏粘合劑有機(jī)硅解決方案可密封并保護(hù)先進(jìn)的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動(dòng)力傳輸系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、鐵路和海運(yùn)等具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)IGBT。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子）、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。