在有些應(yīng)用場景下，驅(qū)動要提供豐富的保護功能。首先，驅(qū)動器要長出一雙“眼睛”（故障檢測），觀察“電燈”（負載）或者“開關(guān)”（IGBT）運行是否正常。如果負載有異常，故障檢測立刻發(fā)送信號給“大腦”MCU，MCU發(fā)指令給IGBT驅(qū)動，IGBT驅(qū)動關(guān)閉功率器件，避免炸機。我們把具有保護功能的IGBT驅(qū)動IC稱為增強型驅(qū)動。IGBT驅(qū)動的保護功能包括欠壓關(guān)斷、短路保護、過壓保護、過溫保護、米勒鉗位、軟關(guān)斷等。

IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。

IGBT驅(qū)動電路中的電阻G對工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損20耗；Rc較小，會引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。

IGBT 的驅(qū)動條件與它的靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數(shù)都有不同程度的影響。