IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

在有些應(yīng)用場(chǎng)景下，驅(qū)動(dòng)要提供豐富的保護(hù)功能。首先，驅(qū)動(dòng)器要長(zhǎng)出一雙“眼睛”（故障檢測(cè)），觀察“電燈”（負(fù)載）或者“開(kāi)關(guān)”（IGBT）運(yùn)行是否正常。如果負(fù)載有異常，故障檢測(cè)立刻發(fā)送信號(hào)給“大腦”MCU，MCU發(fā)指令給IGBT驅(qū)動(dòng)，IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)閉功率器件，避免炸機(jī)。我們把具有保護(hù)功能的IGBT驅(qū)動(dòng)IC稱為增強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)。IGBT驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能包括欠壓關(guān)斷、短路保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、米勒鉗位、軟關(guān)斷等。

提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?，使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降，但若ce過(guò)大，則負(fù)載短路時(shí)其c隨ce增大而增大，對(duì)其不利，使用中選GE《15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般選UGE -- 5V為宜。

IGBT驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)功能， 實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。