IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、率和使用壽命長的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費類應用（例如，空調(diào)和電磁爐），以及車載應用（例如，電動汽車（EV）電機控制器）。

在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。