絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開關(guān)能力和高電壓容量，在各種應用中得到越來越多的運用。陶氏粘合劑有機硅解決方案可密封并保護先進的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動器、太陽能逆變器、風能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動力傳輸系統(tǒng)、電動汽車、鐵路和海運等具有挑戰(zhàn)性的應用中驅(qū)動IGBT。

按照封裝工藝來看，IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的值：在開關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

以30kW變頻器為例，負載電流約為79A，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內(nèi)，承受1.5倍的過流，擇負載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級的IGBT。