凈化工程是指控制產(chǎn)品 (如硅芯片等) 所接觸大氣的潔凈度及溫濕度，使產(chǎn)品能在一個良好的環(huán)境空間中生產(chǎn)、制造。此環(huán)境空間的設計施工過程即可稱為凈化工程。

相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)濕度范圍為35—45%。

潔凈室中的氣流速度規(guī)定

這里要討論的氣流速度是指潔凈室內的氣流速度，在其他潔凈空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明。

對于亂流潔凈室 由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；

無窗潔凈室的照明方式：

(1)一般照明

它指不考慮特殊的局部需要，為照亮整個被照面積而設置的照明。

(2)局部照明

這是指為增加某一指定地點（如工作點）的照度而設置的照明。但在室內照明由一般不單獨使用局部照明。

(3)混合照明

這是指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明，其中一般照明的照度按《潔凈廠房設計規(guī)范》應占總照度的10%—15%，但不低干150LX。 單位被照面積上接受的光通量即是照明單位勒克斯(LX)。