半導(dǎo)體領(lǐng)域：純銦在半導(dǎo)體中用作薄膜層，銦靶材可用于制造高速電動(dòng)機(jī)的軸承涂層，使?jié)櫥途鶆蚍植?，還可用于半導(dǎo)體器件的制造，如集成電路、芯片等。

集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。

航空航天與國(guó)防科技

1. 紅外探測(cè)與成像

用途：在紅外焦平面陣列（IRFPA）中作為芯片互連材料（如銦柱倒裝焊），實(shí)現(xiàn)探測(cè)器芯片與讀出電路的高密度連接。

場(chǎng)景：軍用夜視儀、衛(wèi)星遙感設(shè)備、熱成像儀等。

2. 高溫真空器件

應(yīng)用：在航空航天用真空電子器件（如行波管、磁控管）中作為密封材料或電極鍍膜，利用銦的低蒸氣壓和抗腐蝕特性。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。