電子信息領(lǐng)域

ITO 靶材：生產(chǎn) ITO 靶材是銦錠的主要消費(fèi)領(lǐng)域，占全球銦消費(fèi)量的 70%，由高純氧化銦和氧化錫的玻璃態(tài)復(fù)合物（ITO）在等離子電視和液晶電視屏工業(yè)中用來(lái)制作透明導(dǎo)電的電極。

半導(dǎo)體材料：用于生產(chǎn)半導(dǎo)體材料，如磷化銦（InP）成為 5G 基站、激光雷達(dá)、光纖通信的關(guān)鍵載體，銦的化合物可用于制造高性能的半導(dǎo)體器件。

精銦的制備方法

精銦通常以粗銦（純度約 95%~99%，來(lái)源于鋅礦冶煉副產(chǎn)物）為原料，通過(guò)多級(jí)提純工藝獲得：

電解精煉

將粗銦作為陽(yáng)極，純銦片作為陰極，在硫酸或氯化物電解液中通電，雜質(zhì)（如鋅、鉛）沉積為陽(yáng)極泥，銦離子遷移至陰極形成純度約 99.95% 的電解銦。

真空蒸餾

在高真空（10?3~10?? Pa）和高溫（500~1000℃）下，利用銦與雜質(zhì)（如鎘、錫）的蒸氣壓差異分離，純度可提升至 99.99%~99.999%。

區(qū)域熔煉

通過(guò)移動(dòng)加熱線圈使銦棒局部熔融，雜質(zhì)隨固液界面移動(dòng)富集到末端，重復(fù)操作后純度可達(dá) 99.9999%（6N）以上。

化學(xué)提純

利用萃?。ㄈ缬糜袡C(jī)膦酸萃取銦）、離子交換或深度結(jié)晶等方法進(jìn)一步去除微量雜質(zhì)。

半導(dǎo)體與微電子工業(yè)

化合物半導(dǎo)體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產(chǎn) 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點(diǎn)發(fā)光器件（QLED）。

應(yīng)用場(chǎng)景：5G 通信、數(shù)據(jù)中心光模塊、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測(cè)器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓?fù)淞孔佑?jì)算元件。

精銦憑借其超高純度和獨(dú)特物理化學(xué)性質(zhì)，成為支撐現(xiàn)代電子信息、新能源和科技的 “戰(zhàn)略金屬”。隨著 5G、量子計(jì)算和可再生能源技術(shù)的爆發(fā)，精銦的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，其供應(yīng)鏈和回收利用技術(shù)也將成為全球關(guān)注的焦點(diǎn)。