微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

優(yōu)異的光學(xué)性能：在可見光波段（380-780nm）內(nèi)，ITO 薄膜的透光率通常能夠達(dá)到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應(yīng)用中的良好表現(xiàn)。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行，目的是通過部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。