半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對低溫下進(jìn)行，目的是通過部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點(diǎn)低至 120℃，用于保險(xiǎn)絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點(diǎn)顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。