碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導(dǎo)體重要的材料？
在半導(dǎo)體技術(shù)中，需要純度的細(xì)晶粒石墨，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的溫度下的某種物理蒸汽傳輸機(jī)制。
多孔石墨作為晶體生長過程中關(guān)鍵的材料，同時，需要純度和精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號要求定制，滿足客戶的不同需求。
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碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導(dǎo)體重要的材料？
在半導(dǎo)體技術(shù)中，需要純度的細(xì)晶粒石墨，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的溫度下的某種物理蒸汽傳輸機(jī)制。
多孔石墨作為晶體生長過程中關(guān)鍵的材料，同時，需要純度和精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號要求定制，滿足客戶的不同需求。
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